制造商型号： | FDMS3669S |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDMS3669S
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FDMS3669S 中文资料
数据手册PDF
FDMS3669S 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 113 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 171 mg
库存： 24000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.264457 | 21.26 |
| 10 | 19.149569 | 191.50 |
| 100 | 15.394775 | 1539.48 |
| 500 | 12.648192 | 6324.10 |
| 1000 | 10.480026 | 10480.03 |
品牌其他型号
FDMS3669S品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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