制造商型号： | BSL308PEH6327XTSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSL308PEH6327XTSA1
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BSL308PEH6327XTSA1 中文资料
数据手册PDF
BSL308PEH6327XTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns, 2.8 ns
正向跨导（Min） 4.6 S, 4.6 S
上升时间 7.7 ns, 7.7 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns, 15.3 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns, 5.6 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSL308PE H6327 SP001101004
单位重量 20 mg
BSL308PEH6327XTSA1 同类别型号
库存： 13163
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.479772 | 8.48 |
| 10 | 7.33251 | 73.33 |
| 100 | 5.075394 | 507.54 |
| 500 | 4.240884 | 2120.44 |
| 1000 | 3.609265 | 3609.27 |
品牌其他型号
BSL308PEH6327XTSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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