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BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, TSOP, 表面安装


艾睿:
Thanks to Infineon Technologies, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the BSL308PEH6327XTSA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP


BSL308PEH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 6

漏源极电阻 0.062 Ω

极性 P-CH

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 7.7 ns

输入电容Ciss 500pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSL308PEH6327XTSA1引脚图与封装图
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BSL308PEH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装 搜索库存