制造商型号: | NVMFD5877NLT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NVMFD5877NLT1G
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NVMFD5877NLT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFD5877NLT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 5.9 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 37.400 mg
库存: 2450
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.827788 | 8.83 |
10 | 8.582972 | 85.83 |
30 | 8.424562 | 252.74 |
100 | 8.266151 | 826.62 |