制造商型号: | NTMD4820NR2G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTMD4820NR2G
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NTMD4820NR2G 中文资料
数据手册PDF
NTMD4820NR2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 1.28 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9.4 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存: 3345
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |