制造商型号: | NTMD6P02R2G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTMD6P02R2G
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NTMD6P02R2G 中文资料
数据手册PDF
NTMD6P02R2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.8 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 80 ns, 50 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 65 ns, 20 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns, 85 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 15 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存: 3311
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.202076 | 15.20 |
10 | 12.485641 | 124.86 |
100 | 9.713131 | 971.31 |
500 | 8.232797 | 4116.40 |
1000 | 6.70636 | 6706.36 |