制造商型号： | IXBH5N160G |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXBH5N160G
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IXBH5N160G 中文资料
数据手册PDF
IXBH5N160G 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.6 kV
饱和电压 4.9 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 5.7 A
耗散功率 68 W
集电极连续电流 5.7 A
集电极连续电流（Max） 6 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
规格参数
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
品牌其他型号
IXBH5N160G品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT
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