制造商型号: | IXFA12N50P |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFA12N50P
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IXFA12N50P 中文资料
数据手册PDF
IXFA12N50P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 4 g
库存: 26
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 28.418855 | 28.42 |
10 | 25.484299 | 254.84 |
25 | 24.094246 | 602.36 |
100 | 19.275397 | 1927.54 |
250 | 18.204541 | 4551.14 |
500 | 17.133686 | 8566.84 |
1000 | 14.670719 | 14670.72 |
2500 | 14.456548 | 36141.37 |
5000 | 13.171522 | 65857.61 |
品牌其他型号
IXFA12N50P品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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