制造商型号： | IXTH180N10T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH180N10T
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IXTH180N10T 中文资料
数据手册PDF
IXTH180N10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6.4 mOhms
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 38.339726 | 38.34 |
| 10 | 34.650541 | 346.51 |
| 25 | 33.041662 | 826.04 |
| 100 | 28.68935 | 2868.93 |
| 500 | 24.982443 | 12491.22 |
品牌其他型号
IXTH180N10T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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