制造商型号: | NTMD6N02R2 |
制造商: | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) NTMD6N02R2
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NTMD6N02R2 中文资料
数据手册PDF
NTMD6N02R2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMD6N02R2
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.92A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
35mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF @ 16V
功率 - 最大值
730mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1250 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥2.059337 总价:¥2574.17 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1250 | 2.059337 | 2574.17 |