制造商型号: | DMTH4011SPD-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMTH4011SPD-13
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DMTH4011SPD-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH4011SPD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 37.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.9 ns
上升时间 3.8 ns
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
DMTH4011SPD-13 同类别型号
库存: 5765
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.941639 | 9.94 |
10 | 8.562238 | 85.62 |
100 | 5.930189 | 593.02 |
500 | 4.955162 | 2477.58 |
1000 | 4.217245 | 4217.24 |