制造商型号： | ECH8690-TL-H |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 60V ECH8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) ECH8690-TL-H
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ECH8690-TL-H 中文资料
数据手册PDF
ECH8690-TL-H 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A, 3.5 A
漏源电阻 55 mOhms, 94 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
库存： 3339
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.45163 | 6.45 |
| 200 | 2.505767 | 501.15 |
| 500 | 2.419361 | 1209.68 |
| 1000 | 2.376158 | 2376.16 |
品牌其他型号
ECH8690-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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