制造商型号： | FII50-12E |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT阵列 |
商品描述： | IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) FII50-12E
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FII50-12E 中文资料
数据手册PDF
FII50-12E 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FII50-12E
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
包装
-
系列
-
零件状态
Obsolete
IGBT 类型
NPT
配置
Half Bridge
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
功率 - 最大值
200W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.6V @ 15V, 30A
电流 - 集电极截止（最大值）
400µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
2nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
i4-Pac™-5
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™
品牌其他型号
FII50-12E品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT阵列
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