制造商型号： | IXTA08N100D2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA08N100D2
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IXTA08N100D2 中文资料
数据手册PDF
IXTA08N100D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 800 mA
漏源电阻 21 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.694961 | 15.69 |
| 10 | 14.096507 | 140.97 |
| 100 | 11.329329 | 1132.93 |
| 500 | 9.307981 | 4653.99 |
| 1000 | 7.712365 | 7712.36 |
品牌其他型号
IXTA08N100D2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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