制造商型号: | IXTA08N100D2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA08N100D2
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IXTA08N100D2 中文资料
数据手册PDF
IXTA08N100D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 800 mA
漏源电阻 21 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.377824 | 19.38 |
10 | 17.404289 | 174.04 |
100 | 13.987785 | 1398.78 |
500 | 11.492122 | 5746.06 |
1000 | 9.522091 | 9522.09 |
品牌其他型号
IXTA08N100D2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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