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FII50-12E
IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT Transistors 50A 1200V

IGBT 阵列 NPT 半桥 1200 V 50 A 200 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™


得捷:
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5


贸泽:
IGBT Transistors 50 Amps 1200V


FII50-12E中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2nF @25V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 i4-Pac-5

外形尺寸

长度 19.91 mm

宽度 5.03 mm

高度 20.88 mm

封装 i4-Pac-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FII50-12E引脚图与封装图
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