制造商型号： | MMIX4G20N250 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT阵列 |
商品描述： | IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) MMIX4G20N250
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MMIX4G20N250 中文资料
数据手册PDF
MMIX4G20N250 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 IGBT Silicon Modules
商标 IXYS
技术类参数
配置 Half Bridge
击穿电压(集电极-发射极) 2.5 kV
饱和电压 3.1 V
在25 C的连续集电极电流 23 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Modules
单位重量 8 g
库存： 18
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1588.065397 | 1588.07 |
| 20 | 1449.754403 | 28995.09 |
| 100 | 1311.440549 | 131144.05 |
品牌其他型号
MMIX4G20N250品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT阵列
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