MMIX4G20N250

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 2500V 23A 100000mW 9Pin SMD

IGBT Array Half Bridge 2500V 23A 100W Surface Mount 24-SMPD

得捷:
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD

贸泽:
IGBT Modules

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 23A 100000mW 9-Pin SMD

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Trans IGBT Chip N-CH 2500V 23A 100000mW 9-Pin SMD

MMIX4G20N250中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 2500 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 SMPD-24

外形尺寸

封装 SMPD-24

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMIX4G20N250引脚图与封装图

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