制造商型号： | IXXK200N65B4 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 370A 1150W TO264 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXXK200N65B4
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IXXK200N65B4 中文资料
数据手册PDF
IXXK200N65B4 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 XPT
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 370 A
耗散功率 1150 W
集电极连续电流（Max） 200 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 10.600 g
库存： 66
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 211.535125 | 211.54 |
| 10 | 194.360252 | 1943.60 |
| 25 | 186.299183 | 4657.48 |
| 100 | 161.122549 | 16112.25 |
| 250 | 156.087716 | 39021.93 |
| 500 | 146.01731 | 73008.65 |
品牌其他型号
IXXK200N65B4品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT
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