IXXK200N65B4

IXYS Semiconductor 分立器件

Igbt 650V 370A 1150W To264

IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole TO-264 IXXK

得捷:
IGBT 650V 370A 1150W TO264

贸泽:
IGBT Transistors 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin3+Tab TO-264

DeviceMart:
IGBT 650V 370A 1150W TO264

IXXK200N65B4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1150 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 1150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXXK200N65B4引脚图与封装图

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