制造商型号: | SIZF920DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SIZF920DT-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SIZF920DT-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIZF920DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZF920DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 76 A, 197 A
漏源电阻 3.07 mOhms, 1.05 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 29 nC, 125 nC
耗散功率 28 W, 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 65 S, 135 S
上升时间 5 ns, 70 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 43 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZF920DT-T1-GE3 同类别型号
库存: 12
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 22.364402 | 22.36 |
10 | 20.04147 | 200.41 |
25 | 18.904716 | 472.62 |
100 | 14.745679 | 1474.57 |
250 | 14.367584 | 3591.90 |
500 | 12.477113 | 6238.56 |
1000 | 10.586641 | 10586.64 |