制造商型号: | SIZF906ADT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZF906ADT-T1-GE3
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SIZF906ADT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZF906ADT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.8 mOhms, 1.17 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 24.5 nC, 100 nC
耗散功率 38 W, 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns, 30 ns
正向跨导(Min) 130 S, 130 S
上升时间 80 ns, 60 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 65 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
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库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥7.921476 总价:¥23764.43 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 7.921476 | 23764.43 |
6000 | 7.544261 | 45265.57 |
9000 | 7.196038 | 64764.34 |