制造商型号: | SI5920DC-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI5920DC-T1-E3
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SI5920DC-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI5920DC-T1-E3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI5920DC-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
32mOhm @ 6.8A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
680pF @ 4V
功率 - 最大值
3.12W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 146 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1.140556 总价:¥166.52 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
146 | 1.140556 | 166.52 |
300 | 1.091017 | 327.31 |
500 | 1.041334 | 520.67 |
1000 | 0.991794 | 991.79 |
品牌其他型号
SI5920DC-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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