制造商型号: | SQ3989EV-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQ3989EV-T1_GE3
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SQ3989EV-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ3989EV-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 11.1 nC
耗散功率 1.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 13.8 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SQ3989EV-T1_GE3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥7.112922 总价:¥7.11 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.112922 | 7.11 |
10 | 6.040339 | 60.40 |
100 | 4.513883 | 451.39 |
500 | 3.546526 | 1773.26 |
1000 | 2.740508 | 2740.51 |