制造商型号: | TK62N60X,S1F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TK62N60X,S1F
图像仅供参考
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TK62N60X,S1F 中文资料
数据手册PDF
TK62N60X,S1F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61.8 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 240 ns
典型接通延迟时间 90 ns
外形参数
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
TK62N60X,S1F 引脚图与封装图
TK62N60X,S1F引脚图
TK62N60X,S1F封装图
TK62N60X,S1F封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 69.917063 | 69.92 |
10 | 63.166675 | 631.67 |
100 | 52.294311 | 5229.43 |
500 | 45.53727 | 22768.63 |
1000 | 40.062086 | 40062.09 |
品牌其他型号
TK62N60X,S1F品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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