制造商型号： | SIZ920DT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIZ920DT-T1-GE3
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SIZ920DT-T1-GE3 中文资料
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SIZ920DT-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIZ920DT-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.1mOhm @ 18.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
39W, 100W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair® (6x5)
品牌其他型号
SIZ920DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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