SIZ920DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0059 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAIR
外形尺寸
长度 5.1 mm
宽度 6.1 mm
高度 0.8 mm
封装 PowerPAIR
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIZ920DT-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIZ920DT-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIZ920DT-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V | 搜索库存 |