制造商型号: | DMN2014LHAB-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN2014LHAB-7
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DMN2014LHAB-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2014LHAB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 710 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
上升时间 15.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 40.9 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.254683 | 3764.05 |
6000 | 1.190892 | 7145.35 |
9000 | 1.105813 | 9952.32 |
30000 | 1.08031 | 32409.30 |
品牌其他型号
DMN2014LHAB-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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