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DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN2014LHAB-7 编带

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 9A 800mW 表面贴装型 U-DFN2030-6(B 类)


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN


立创商城:
2个N沟道 20V 9A


贸泽:
MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMN2014LHAB-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1700 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Channel 20V 9A U-DFN2030-6


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 9.3A 6-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R


DMN2014LHAB-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 13 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.7 W

阈值电压 0.71 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 15.5 ns

输入电容Ciss 1550pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN-6

外形尺寸

封装 UDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN2014LHAB-7引脚图与封装图
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