制造商型号: | SQ3585EV-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SQ3585EV-T1_GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SQ3585EV-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SQ3585EV-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ3585EV-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.57 A, 2.5 A
漏源电阻 49 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.5 V
栅极电荷 2.5 nC, 3.5 nC
耗散功率 1.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 14 ns
正向跨导(Min) 10 S, 3 S
上升时间 15 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存: 5179
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 43.443952 | 43.44 |
10 | 39.028531 | 390.29 |
25 | 36.895398 | 922.38 |
100 | 31.975696 | 3197.57 |
250 | 30.335479 | 7583.87 |
500 | 27.219827 | 13609.91 |
1000 | 25.524448 | 25524.45 |