制造商型号: | DMN61D8LVTQ-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN61D8LVTQ-7
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DMN61D8LVTQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN61D8LVTQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 740 pC
耗散功率 1.09 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 440 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 301 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 582 ns
典型接通延迟时间 131 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.867208 总价:¥5.87 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.867208 | 5.87 |
10 | 5.052983 | 50.53 |
100 | 3.768184 | 376.82 |
500 | 2.960905 | 1480.45 |
1000 | 2.287972 | 2287.97 |
品牌其他型号
DMN61D8LVTQ-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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