DMN61D8LVTQ-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 2.4 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1.09 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 0.63A
上升时间 301 ns
输入电容Ciss 12.9pF @12VVds
额定功率Max 820 mW
下降时间 440 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1090 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN61D8LVTQ-7 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6Pin TSOT-26 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN61D8LVTQ-7 品牌: Diodes 美台 封装: TSOT-26 N-CH 60V 0.63A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6Pin TSOT-26 T/R | 当前型号 | |
型号: DMN61D8LVTQ-13 品牌: 美台 封装: TSOT-26 N-CH 60V 0.63A | 类似代替 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | DMN61D8LVTQ-7和DMN61D8LVTQ-13的区别 |