DMN61D8LVTQ-13、DMN61D8LVTQ-7对比区别

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型号 DMN61D8LVTQ-13 DMN61D8LVTQ-7

描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6Pin TSOT-26 T/R

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

通道数 2 1

漏源极电阻 - 2.4 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 820 mW 1.09 W

阈值电压 1.3 V, 1.3 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 ±60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.63A 0.63A

上升时间 301 ns 301 ns

输入电容(Ciss) 12.9pF @12V(Vds) 12.9pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 820 mW 820 mW

下降时间 440 ns 440 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1090 mW 1090 mW

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

长度 2.9 mm -

宽度 1.6 mm -

高度 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -