制造商型号: | SIZF300DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZF300DT-T1-GE3
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SIZF300DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZF300DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 75 A, 141 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 1.84 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.1 V
栅极电荷 22 nC, 62 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
正向跨导(Min) 60 S, 90 S
上升时间 40 ns, 53 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
库存: 2875
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 14.827225 | 14.83 |
10 | 13.307435 | 133.07 |
100 | 10.372879 | 1037.29 |
500 | 8.568901 | 4284.45 |
1000 | 6.764922 | 6764.92 |