制造商型号: | SIZ250DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZ250DT-T1-GE3
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SIZ250DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ250DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 12.2 mOhms, 1.27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 13.5 nC, 13.4 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 60 ns, 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ250DT-T1-GE3 同类别型号
库存: 287
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 14.454433 | 14.45 |
10 | 11.825224 | 118.25 |
100 | 9.197257 | 919.73 |
500 | 7.795925 | 3897.96 |
1000 | 6.350606 | 6350.61 |