制造商型号: | SQJQ904E-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQJQ904E-T1_GE3
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SQJQ904E-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJQ904E-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.9 mOhms, 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 4 ns
正向跨导(Min) 80 S, 80 S
上升时间 4.6 ns, 4.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 15.5 ns, 15.5 ns
外形参数
高度 1.9 mm
长度 7.9 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
库存: 384
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 39.662826 | 39.66 |
10 | 35.659476 | 356.59 |
100 | 28.661026 | 2866.10 |
500 | 23.547608 | 11773.80 |
1000 | 20.183558 | 20183.56 |
品牌其他型号
SQJQ904E-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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