SQJQ904E-T1_GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
分立器件
SQJQ904E-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0034 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 4.6 ns
输入电容Ciss 4530pF @20VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK
外形尺寸
封装 PowerPAK
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQJQ904E-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJQ904E-T1_GE3 | VISHAY 威世 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 100 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |