制造商型号: | SQJQ906EL-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJQ906EL-T1_GE3
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SQJQ906EL-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJQ906EL-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 3.6 mOhms, 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
正向跨导(Min) 86 S, 86 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
库存: 1807
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 28.418855 | 28.42 |
10 | 25.539901 | 255.40 |
25 | 24.094246 | 602.36 |
100 | 18.793512 | 1879.35 |
250 | 18.311627 | 4577.91 |
500 | 15.902202 | 7951.10 |
1000 | 13.492778 | 13492.78 |