制造商型号： | SQJQ906E-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SQJQ906E-T1_GE3
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SQJQ906E-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJQ906E-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 95 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SQJQ906E-T1_GE3 同类别型号
库存： 1071
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.127226 | 36.13 |
| 10 | 32.429499 | 324.29 |
| 100 | 26.071107 | 2607.11 |
| 500 | 21.419903 | 10709.95 |
| 1000 | 18.359856 | 18359.86 |
