制造商型号: | FDG6306P |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDG6306P
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FDG6306P 中文资料
数据手册PDF
FDG6306P 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDG6306P_NL
单位重量 28 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥8.720222 总价:¥8.72 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.720222 | 8.72 |
品牌其他型号
FDG6306P品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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