制造商型号: | EM6K31GT2R |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) EM6K31GT2R
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EM6K31GT2R 中文资料
数据手册PDF
EM6K31GT2R 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 28 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存: 36528
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.361251 | 4.36 |
10 | 3.401778 | 34.02 |
100 | 2.038574 | 203.86 |
500 | 1.8878 | 943.90 |
1000 | 1.283705 | 1283.71 |
2000 | 1.181776 | 2363.55 |
品牌其他型号
EM6K31GT2R品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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