制造商型号: | SSM6N56FE,LM |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM6N56FE,LM
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SSM6N56FE,LM 中文资料
数据手册PDF
SSM6N56FE,LM 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 235 mOhms, 235 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns, 8.5 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns, 5.5 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
库存: 2680
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.371403 | 1.37 |
10 | 1.04623 | 10.46 |
30 | 0.986466 | 29.59 |
100 | 0.926701 | 92.67 |
500 | 0.900204 | 450.10 |
品牌其他型号
SSM6N56FE,LM品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 射频晶体管
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