SSM6N56FE,LM

Toshiba(东芝) 分立器件

SSM6N56FE,LM 编带

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

立创商城:
2个N沟道 20V 800mA

贸泽:
MOSFET Small-signal MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R

SSM6N56FE,LM中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

耗散功率 0.25 W

阈值电压 1 V, 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

输入电容Ciss 55pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6N56FE,LM引脚图与封装图

SSM6N56FE,LM引脚图

SSM6N56FE,LM封装图

SSM6N56FE,LM封装焊盘图

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