制造商型号： | SSM6N56FE,LM |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6N56FE,LM
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SSM6N56FE,LM 中文资料
数据手册PDF
SSM6N56FE,LM 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 235 mOhms, 235 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns, 8.5 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns, 5.5 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
SSM6N56FE,LM 引脚图与封装图
SSM6N56FE,LM引脚图
SSM6N56FE,LM封装图
SSM6N56FE,LM封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.141528 | 1.14 |
| 10 | 0.973694 | 9.74 |
| 30 | 0.901871 | 27.06 |
| 100 | 0.829942 | 82.99 |
| 500 | 0.781989 | 390.99 |
品牌其他型号
SSM6N56FE,LM品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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