制造商型号： | SI1926DL-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI1926DL-T1-E3
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SI1926DL-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI1926DL-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 370 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 510 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
正向跨导（Min） 159 mS
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-E3
单位重量 7.500 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.9674 | 2902.20 |
| 6000 | 0.918193 | 5509.16 |
| 9000 | 0.852609 | 7673.48 |
| 30000 | 0.832911 | 24987.33 |
| 75000 | 0.811698 | 60877.35 |
品牌其他型号
SI1926DL-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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