SI1926DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 510 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 18.5pF @30VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI1926DL-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1926DL-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1926DL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 60-V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI1926DL-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1926DL-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： Dual N-Channel | 当前型号 | 双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 60-V D-S MOSFET | 当前型号 |
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