制造商型号： | FDG6321C |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDG6321C
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FDG6321C 中文资料
数据手册PDF
FDG6321C 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 500 mA, 410 mA
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.64 nC, 1.1 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.5 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 1.45 S, 0.9 S
上升时间 8.5 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDG6321C_NL
单位重量 28 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.320003 总价：￥5.32 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.320003 | 5.32 |
| 10 | 4.584258 | 45.84 |
| 100 | 3.424044 | 342.40 |
| 500 | 2.689885 | 1344.94 |
| 1000 | 2.078537 | 2078.54 |
品牌其他型号
FDG6321C品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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