制造商型号： | TT8M1TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) TT8M1TR
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TT8M1TR 中文资料
数据手册PDF
TT8M1TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 52 mOhms, 49 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV, 1 V
栅极电荷 3.6 nC, 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 85 ns
上升时间 17 ns, 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 120 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8M1
单位重量 56.165 mg
库存： 6732
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.691391 | 6.69 |
| 10 | 5.719244 | 57.19 |
| 100 | 3.978222 | 397.82 |
| 500 | 3.10632 | 1553.16 |
| 1000 | 2.524801 | 2524.80 |
品牌其他型号
TT8M1TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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