TT8M1TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体主动器件

TSST N+P 20V 2.5A

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R

安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V ±2.5A 8-Pin TSST T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R

Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.5A 8-Pin TSST T/R

TT8M1TR中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.5A

输入电容Ciss 260pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSST-8

外形尺寸

封装 TSST-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TT8M1TR引脚图与封装图

TT8M1TR引脚图

TT8M1TR封装图

TT8M1TR封装焊盘图

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