制造商型号: | SH8K39GZETB |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) SH8K39GZETB
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SH8K39GZETB 中文资料
数据手册PDF
SH8K39GZETB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 15.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K39
单位重量 83 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥10.482851 总价:¥26207.13 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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2500 | 10.482851 | 26207.13 |