制造商型号: | EFC6605R-TR |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH EFCP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) EFC6605R-TR
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EFC6605R-TR 中文资料
数据手册PDF
EFC6605R-TR 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 13.3 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 19.8 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60800 ns
上升时间 678 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 44400 ns
典型接通延迟时间 154 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 66 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.962384 | 1.96 |
200 | 0.759469 | 151.89 |
500 | 0.732717 | 366.36 |
1000 | 0.71955 | 719.55 |
品牌其他型号
EFC6605R-TR品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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